氮化硅制備的方法有很多，每個方法都需要注意不同的事情，特別是當使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)時，能通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)來減少張力。先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解產(chǎn)生的。要在半導(dǎo)體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產(chǎn)生張力或應(yīng)力。